Екситонна фотопровідність гетероструктур на основі шаруватих кристалів InSe І GaSe.

Анотація

В гетеропереходах міжфазна границя є перехідною областю від однієї кристалічної ґратки до іншої. Трансляційна симетрія атомів в цій зоні порушується і їх теплові коливання можуть відрізнятись від аналогічних об’ємних коливань. Зазвичай, енергія зв’язку екситонів в ШК менша в порівнянні із тепловою енергією kT при кімнатній температурі і, тому, для їх спостереження в спектрах поглинання кристалів, необхідні низькі температури. Водночас, спостереження екситонної фоточутливості в спектрах ГП при високих температурах дозволяє припускати, чи не має взаємозв’язку між ступенню неузгодженості в параметрах кристалічних ґраток пар, що утворюють ГП, і різною інтенсивностю екситонних піків. Оскільки поглинання світла в ГП відбувається на границі, де енергія фононних коливань може бути перерозподілена таким чином, що її сумарна величина залишається сталою, то слід очікувати змін у досліджуваних екситонних спектрах тим більших, чим більша ґраткова неузгодженість. Для перевірки такої гіпотези було зроблено порівняльний аналіз ГП з різною ґратковою неузгодженістю.