Нанокомпозитні іонотронні структури, сформовані на основі 2D шаруватого напівпровідника InSe і іонної солі RbNO<sub>3</sub>.
Автор(и)
I. H. Tkachuk
Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАНУ, Чернівецьке відділення, вул. І. Вільде, 5, Чернівці
Анотація
Селенід індію є одним з найбільш перспективних 2D матеріалів. Структурно досконалі 2D кристали InSe характеризуються більш високими значеннями рухливості електронів (>103 см2 ∙В─1∙с─1 при Т = 300 К) в порівнянні з іншими 2D матеріалами. В свою чергу нітрат рубідія має найвищу іонну провідність серед нітратів. Для цього матеріалу спостерігається серія фазових переходів в діапазоні температур 437−583 К, які супроводжуються різкими змінами іонної провідності. Тому саме ці матеріали є привабливими для створення даних структур.
