Комплексоутворення в системі Cu(II) – H<sub>2</sub>C<sub>4</sub>H<sub>4</sub>O<sub>6</sub> – H<sub>2</sub>O.
Автор(и)
O. V. Somkina
Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут»
B. I. Bairachnyi
Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут»
A. V. Kramarenko
Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут»
Анотація
Нанесення мідних покрить широко використовується для надання виробам різного призначення спеціальних характеристик. Під час осадження міді на стальну або алюмінієву підкладку з простих електролітів через цементацію шар міді має крихку та пористу структуру, що перешкоджає добрій адгезії. В такому випадку застосовують комплексні електроліти, перевагою яких є невисока токсичність, стабільність, простота утилізації. Для розробки технологічного процесу важливо дослідити реакцій комплексоутворення, що відбуваються у розчині. В даній роботі осадження мідних покрить проводили з тартратного електроліту, в якому іони міді можуть знаходитись у вигляді комплексних сполук різної стійкості та різних форм ліганда, які встановлюють механізм процесу осадження та структуру покриттів.
