Методика виготовлення фоточутливих гетероструктур n-SnS<sub>2</sub>/p-InSe, з водних розчинів солей SnCl<sub>4</sub>·5H<sub>2</sub>O і (NH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>CS методом спрей-піролізу

Автор(и)

  • І. Г. Ткачук Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, Буковинський державний медичний університет
  • І. Г. Орлецький Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
  • З. Д. Ковалюк Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України

Анотація

В даний час гетеропереходи на основі тонких плівок є досить цікавими з точки зору виготовлення нових гетероструктур. Тонкі плівки сульфідів олова (SnS, SnS2, Sn2S3) характеризуються різним фазовим складом, який визначає їх основні фізичні властивості. Плівки дисульфіду олова SnS2 з шириною забороненої зони Eg ≈ 2,45еВ придатні для виготовлення фронтального шару фотоприймачів на основі гетеропереходів. Плівка SnS2 містить хімічні елементи Sn і S, які широко розповсюджені, мають невисоку собівартість і малотоксичні. Моноселенід індію InSe за значенням ширини забороненої зони Eg = 1.2 еВ відноситься до придатних матеріалів для фотоелектричного перетворення енергії в наземних умовах. Шарувата структура кристалів InSe зі слабким Ван-дер-Ваальсівським зв’язком обумовлює зручність у виготовленні підкладок для гетероструктур і позбавляє операцій різання злитків на пластини та їх механічної і хімічної обробки. З використанням селеніду індію створені фоточутливі і діодні структури різних типів. Властивості гетероконтакту n-SnS2/p-InSe в значній мірі залежать від методу виготовлення. Застосування спрей-піролізу плівок SnS2 позбавляє необхідності вирощування об’ємного матеріалу SnS2. Метод супроводжується термічними процесами розкладу хлоридних солей на поверхні p-InSe із можливою зміною властивостей поверхні підкладок, що відображається на властивостях утвореного гетеропереходу n-SnS2/p-InSe.

##submission.downloads##

Опубліковано

2021-05-13

Номер

Розділ

Фізична хімія