Методика створення фоточутливих гетеропереходів p-SnS/n-InSe

Abstract

В сучасному світі напівпровідникових матеріалів ведеться активна фаза дослідження та отримання нових матеріалів для використання в тонкоплівкових сонячних елементах, та різного роду електронних датчиків. Основною умовою досліджень яких являється простота, дешевизна виготовлення та кількість даного матеріалу у природному середовищі. Моносульфід олова SnS являється перспективним напівпровідниковим матеріалом для оптоелектронних застосувань з шириною забороненої зони від 1.2÷1.6 еВ та високим коефіцієнтом поглинання. Крім того SnS є екологічно безпечним та потенційно доступним фотоелектричним матеріалом. Гетеропереходи p-SnS/n-InSe виготовлялись методом низькотемпературного спрейпіролізу. Перевагою такої технології є простота та дешевизна. Водний розчин відповідного складу розпилювався на підкладку з InSe, яка розміщувалась на нагрівачу. Підкладка виготовлялась з монокристалічного n-InSe, вирощеного методом Бріджмена. Зі злитка кристала InSe вздовж площини спайності сколювалися плоскопаралельні пластини, які потім обрізались до розміру 5×5×1 mm3 . Сколювання проводилося на повітрі. Підкладки мали досконалі дзеркальні поверхні. За даними дослідження ефекту Холла концентрація носіїв заряду становила p » 1015 cm-3 і їх рухливість перпендикулярно до осі симетрії с в InSe при температурі 295 К дорівнювала mpH ≈ 50 cm2 /(V×s).