Кристалічна структура асиметричної фази Tb3Ni0.1Ga1.6S7

Abstract

Леговані халькогенідні фази R3Ga1.67X7 : A2+ (R – РЗМ; А – d-елемент; X – S, Se) можуть прогнозовано виступати перспективними матеріалами для дослідження магнітних, термоелектричних, нелінійно-оптичних та інших характеристик. Включення двовалентних перехідних елементів у структуру зазначених халькогенідів дає можливість впливати на геометричні параметри поліедрів, що, у свою чергу, дозволяє точніше налаштовувати їхні фізичні властивості. Такий підхід відкриває перспективи для синтезу матеріалів з бажаними, заздалегідь прогнозованими властивостями, що може бути використано для створення нових функціональних матеріалів з заданими характеристиками.