Фізико-хімічна взаємодія в системі Tl<sub>4</sub>GeSe<sub>4</sub>–ZnSe
Abstract
Одним із шляхів пошуку нових напівпровідників є встановлення фазових рівноваг у квазіпотрійних системах. До них відносяться зокрема і халькогенідні системи типу Tl2Se–Zn(Cd)Se–GeSe2. Компонентами у такого типу систем можуть бути подвійні чи потрійні напівпровідники, що займають особливу роль у якості матеріалів для ІЧ- та нелінійної оптики, термо- та електрохімії та ін. [1–4]. Дослідження таких систем є актуальним, оскільки дозволить вивчити характер фазових рівноваг, знайти нові матеріали, розробити технології вирощування кристалів.
References
Vasilyev V. P., Minaev V. S., Batyunya L. P. Thermodynamic properties, phase diagrams and glass-formation of thallium chalcogenides. 2013. Vol. 10, № 11. P. 485–507.
Свечников С. В. Перспективи застосування матеріалів АІІВVI в оптоелектроніці. Вісник АН УРСР. 1985. Vol. 3. P. 8–13.
Малаховська Т. О., Сабов М. Ю., Переш Є. Ю., Галаговець І. В., Беца В. В. Термоелектричний матеріал. Пат. 43564 Україна МПК Н 01 L 35/12 ; заявник і власник патенту ДВНЗ «УжНУ». – № 43564, заявл. 04.03.09; опубл. 25.08.09, Бюл. № 16.
McGuire M. A., Scheidemantel Th. J., Badding J. V., DiSalvo F. J. Tl2AXTe4 (A = Cd, Hg, Mn; X = Ge, Sn): Crystal Structure, and Thermoelectric Properties. Chem. Mater. 2005. Vol. 17. P. 6186–6191.
