Кристалічна структура сполуки Tb<sub>3</sub>Ni<sub>0,5</sub>SiS<sub>7</sub>.
Authors
Х. О Мельничук
Хімічний факультет СНУ імені Лесі Українки
М. М. Познанська
Хімічний факультет СНУ імені Лесі Українки
О. В. Марчук
Хімічний факультет СНУ імені Лесі Українки
Л. Д. Гулай
Хімічний факультет СНУ імені Лесі Українки
Abstract
Розвиток фундаментальних наук і технічний прогрес безпосередньо пов’язані із вдосконаленням матеріалознавчої науки. Нинішній світ із його потребами є рушійною силою для пошуку нових матеріалів, що забезпечували б високу продуктивність різних галузей економіки та інженерної діяльності. Напівпровідникові сполуки на основі халькогенідних матеріалів широко використовуються в електроніці, радіо- та електротехніці, ядерній енергетиці, телекомунікації, при розробці альтернативних джерел енергії. Дослідження кристалічної структури нових матеріалів дає цінну інформацію для розвитку кристалохімії халькогенідів та для збагачення баз кристалографічних даних.
